Поддержка: 8 (812) 219-0006
Email: support@ggsspb.com

Поддержка: 8 (812) 219-0006
Email: support@ggsspb.com

Создатель флеш-памяти NAND предложил новую альтернативу оперативной памяти DRAM

Фуджио Масуока (Fujio Masuoka) наиболее известен как создатель флеш-памяти NAND, над разработкой которой он трудился в компании Toshiba в 80-е годы прошлого века. Недавно его компания Unisantis представила свою новую разработку, которая может стать альтернативой оперативной памяти DRAM.

Изображение: Pixabay

Изображение: Pixabay

В рамках проходившего в этом месяце мероприятия International Memory Workshop был представлен документ, в котором разработчики изложили перспективы создания динамической флеш-памяти DFM (Dynamic Flash Memory) на основе транзисторов с окружающими их затворами (Surround Gate Transistor). Этот новый тип памяти напоминает NAND Flash, но предлагает более высокую плотность по сравнению с памятью DRAM.

Стоит отметить, что на данный момент уже существуют технологии, которые могут использоваться для создания альтернативы памяти DRAM. Проблема заключается в том, что производство таких чипов, как правило, весьма дорогостоящее, особенно по сравнению с производством чипов DRAM.

Изображение: Unisantis

Изображение: Unisantis

Сейчас память DFM находится на теоретической стадии, хотя в Unisantis подсчитали, что она позволит обеспечить в четыре раза более высокую плотность по сравнению с DRAM. В настоящее время компания занята поиском партнёров для доработки технологии и перехода к этапу создания полноценного физического прототипа чипа памяти DFM. Очевидно, что пройдут годы, прежде чем память нового типа будет запущена в серийное производство, но первый шаг к ней уже сделан.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.