Поддержка: 8 (812) 219-0006
Email: support@ggsspb.com

Поддержка: 8 (812) 219-0006
Email: support@ggsspb.com

Квантовый прыжок: ReRAM-память Weebit Nano выпущена в рамках 28-нм техпроцесса

Израильская компания Weebit Nano, разработчик резистивной памяти (ReRAM), сообщила, что достигнут значительный прогресс в рамках движения к массовому производству новой и перспективной технологии хранения данных. На опытных мощностях французского института CEA-Leti массивы ReRAM впервые выпущены на 300-мм пластинах с использованием 28-нм техпроцесса.

Источник изображения: Weebit Nano

Источник изображения: Weebit Nano

Предыдущими продуктами партнёрства Weebit и CEA-Leti были массивы ReRAM на 200-мм пластинах с использованием 40-нм техпроцесса. Освоение более тонких техпроцессов на больших по диаметру пластинах — это значительный шаг вперёд, что позволило компании заявить об этом, как о квантовом прыжке.

К сожалению, Weebit не раскрыла характеристик массивов. Заявлено, что это 1-Мбит блоки резистивной памяти. В общем случае освоение производства ReRAM с технологическими нормами 28 нм в четыре раза повышает плотность этого варианта памяти (очевидно, применительно к технологиям Weebit, поскольку ReRAM разрабатывается во множестве вариантов, включая пресловутый мемристор компании HP).

Добавим, опытное производство ReRAM компании Weebit Nano в рамках 28-нм техпроцесса должно было стартовать в конце 2019 года. Но тогда этого не произошло, как и не началось обещанное производство ReRAM в Южной Корее в конце 2020 года «одной крупной компанией». Вместо этого месяц назад Weebit заключила договор на запуск производства ReRAM в рамках 130-нм техпроцесса на заводе американской компании SkyWater.

Источник изображения: Weebit Nano

Источник изображения: Weebit Nano

Создаётся впечатление, что технология Weebit плохо ложится на передовые техпроцессы. Надеемся, продвижение вперёд совместно с французскими исследователями приблизит технологию производства резистивной памяти к коммерческой реализации. Память ReRAM по скорости работы приближается к оперативной памяти, но обладает при этом энергонезависимостью как у флеш-памяти. Для развития будущего электроники это важнейший фактор.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.